NTE2373

NTE Electronics, Inc

NTE2373

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6.6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
メーカーNTE Electronics, Inc
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージBag
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)