一般
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bag |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 750 mW |
| Frequency - Transition | 80MHz |
機械特性
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 14-DIP |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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