一般
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 1mA, 10mA |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 30nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 360 mW |
| パッケージ | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
|---|