一般
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bag |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 100mA, 1A |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bag |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 36 @ 1A, 0V |
| Power - Max | 6 W |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-66 |
| 動作温度 | 90°C (TJ) |
|---|