PSMN6R3-120ESQ

Nexperia USA Inc

PSMN6R3-120ESQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

旧品種TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11384 pF @ 60 V
メーカーNexperia USA Inc.
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大消費電力405W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージI2PAK

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)