GAN3R2-100CBEAZ

Nexperia USA Inc

GAN3R2-100CBEAZ

データシート

アナログ・電源

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

量産中8-XFBGA, WLCSPアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 50 V
メーカーNexperia USA Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A
最大消費電力394W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-XFBGA, WLCSP
サプライヤーデバイスパッケージ8-WLCSP (3.5x2.13)

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)