GAN190-650FBEZ

Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc

アナログ・電源

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 3.9A, 6V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	96 pF @ 400 V
メーカー	Nexperia USA Inc.
実装タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+7V, -1.4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 12.2mA

ドレイン-ソース間電圧	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Ta)
最大消費電力	125W (Ta)

動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)