NM27C010N200

National Semiconductor

NM27C010N200

メモリ・ストレージ

IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP

量産中32-DIP (0.600", 15.24mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術EPROM - OTP
アクセス時間200 ns
ベース品番NM27C010
メーカーNational Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量1Mbit
メモリ形式EPROM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 8

機械特性

パッケージBulk
Package / Case32-DIP (0.600", 15.24mm)
サプライヤーデバイスパッケージ32-DIP

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)