一般
| メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| Transistor Type | NPN |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 350W |
| Frequency - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 10dB |
機械特性
| Package / Case | 55AW |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 55AW |
環境条件
| 動作温度 | 200°C (TJ) |
|---|