一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 9.4A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 12 V |
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tray |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| 最大消費電力 | 2W (Ta), 75W (Tc) |
機械特性
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-257 |
|---|
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/614 |