一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
|---|---|
| 構成 | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Power - Max | 1.4W |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | MO-036AB |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/597 |