一般
| ベース品番 | 2N3811 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
機械特性
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-78-6 |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/336 |