APTM120DA56T1G

Microsemi Corporation

APTM120DA56T1G

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

旧品種SP1アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs672mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7736 pF @ 25 V
メーカーMicrosemi Corporation
実装タイプChassis Mount
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大消費電力390W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseSP1
サプライヤーデバイスパッケージSP1

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)