APTC90DAM60CT1G

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

アナログ・電源

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

旧品種SP1アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 100 V
メーカーMicrosemi Corporation
実装タイプChassis Mount
Product StatusObsolete
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc)
最大消費電力462W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseSP1
サプライヤーデバイスパッケージSP1

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)