取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 32.5A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 20 V |
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 700 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| 最大消費電力 | 220W (Tc) |
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D3Pak |
| 動作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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