一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 最大消費電力 | 175W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | D-3 Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D3 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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