一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| 最大消費電力 | 4W (Ta), 125W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-254AA |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
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