一般
| ベース品番 | 2N3960 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 400 mW |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-18 (TO-206AA) |
環境条件
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|