NAND16GW3B6DPA6E

Micron Technology Inc

NAND16GW3B6DPA6E

メモリ・ストレージ

IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA

旧品種114-LFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
アクセス時間25 ns
ベース品番NAND16G
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間25ns

電気特性

メモリ容量16Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2G x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case114-LFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ114-LFBGA (12x16)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)