NAND01GR3B2BZA6E

Micron Technology Inc

NAND01GR3B2BZA6E

メモリ・ストレージ

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

旧品種63-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
アクセス時間30 ns
ベース品番NAND01
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間30ns

電気特性

メモリ容量1Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case63-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-VFBGA (9x11)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)