MT55L256L18F1F-10

Micron Technology Inc

MT55L256L18F1F-10

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4MBIT PAR 165FBGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - ZBT
アクセス時間7.5 ns
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズZBT®

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数100 MHz
電源電圧3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 18

機械特性

パッケージBulk
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-FBGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)