MT54W512H36JF-6

Micron Technology Inc

MT54W512H36JF-6

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Quad Port, Synchronous
アクセス時間6 ns
ベース品番MT54W512H
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズQDR™

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数167 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512K x 36

機械特性

パッケージBulk
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-FBGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)