MT54W2MH8BF-6

Micron Technology Inc

MT54W2MH8BF-6

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous
アクセス時間500 ps
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズQDR®

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceHSTL
クロック周波数167 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 8

機械特性

パッケージBulk
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-FBGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)