MT54V512H18EF-6

Micron Technology Inc

MT54V512H18EF-6

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous
アクセス時間2.5 ns
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズQDR™

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceHSTL
クロック周波数167 MHz
電源電圧2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

機械特性

パッケージBulk
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-FBGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)