MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

量産中556-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
アクセス時間3.5 ns
ベース品番MT53E512
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間18ns

電気特性

メモリ容量32Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数2.133 GHz
電源電圧1.06V ~ 1.17V
Memory Organization512M x 64

機械特性

パッケージTray
Package / Case556-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ556-TFBGA (12.4x12.4)

環境条件

動作温度-25°C~85°C(TC)