MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

Micron Technology Inc

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

メモリ・ストレージ

IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

旧品種200-WFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
ベース品番MT53E512
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量16Gbit
メモリ形式DRAM
クロック周波数2.133 GHz
電源電圧1.1V
Memory Organization512M x 32

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case200-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-WFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-30°C ~ 85°C (TC)