MT53E384M32D2FW-046 IT:E TR

Micron Technology Inc

MT53E384M32D2FW-046 IT:E TR

メモリ・ストレージ

IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

生産終了200-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4X
アクセス時間3.5 ns
ベース品番MT53E384
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータスLast Time Buy
書き込みサイクル時間18ns

電気特性

メモリ容量12Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数2.133 GHz
電源電圧1.06V ~ 1.17V
Memory Organization384M x 32

機械特性

Package / Case200-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-TFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 95°C (TC)