MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

Micron Technology Inc

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

メモリ・ストレージ

IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA

量産中200-WFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
クロック周波数2.133 GHz
電源電圧1.1V
Memory Organization256M x 16

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case200-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-WFBGA (10x14.5)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-40°C ~ 105°C (TC)
QualificationAEC-Q100