MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Micron Technology Inc

MT53D512M16D1DS-046 WT:D

メモリ・ストレージ

IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

量産中200-WFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
ベース品番MT53D512
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q100

電気特性

メモリ容量8Gbit
メモリ形式DRAM
クロック周波数2.133 GHz
電源電圧1.1V
Memory Organization512M x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case200-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-WFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-30°C~85°C(TC)