MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Micron Technology Inc

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

メモリ・ストレージ

IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

量産中200-WFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
ベース品番MT53B512
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q100

電気特性

メモリ容量16Gbit
メモリ形式DRAM
クロック周波数1.866 GHz
電源電圧1.1V
Memory Organization512M x 32

機械特性

パッケージTray
Package / Case200-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-WFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 105°C (TC)