MT47H512M4THN-3:E TR

Micron Technology Inc

MT47H512M4THN-3:E TR

メモリ・ストレージ

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

旧品種63-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR2
アクセス時間450 ps
ベース品番MT47H512M4
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case63-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-FBGA (8x10)

環境条件

動作温度0°C~85°C(TC)