MT47H512M4EB-3:C

Micron Technology Inc

MT47H512M4EB-3:C

メモリ・ストレージ

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

旧品種60-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR2
アクセス時間450 ps
ベース品番MT47H512M4
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

機械特性

パッケージTray
Package / Case60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ60-FBGA (9x11.5)

環境条件

動作温度0°C~85°C(TC)