MT41K512M8V00HWC1

Micron Technology Inc

MT41K512M8V00HWC1

メモリ・ストレージ

IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE

量産中メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR3L
ベース品番MT41K512M8
メーカーMicron Technology Inc.
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.283V ~ 1.45V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージBulk

環境条件

動作温度0°C~95°C(TC)