MT41J512M4HX-187E:D

Micron Technology Inc

MT41J512M4HX-187E:D

メモリ・ストレージ

IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA

旧品種78-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR3
アクセス時間13.125 ns
ベース品番MT41J512M4
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数533 MHz
電源電圧1.425V ~ 1.575V
Memory Organization512M x 4

機械特性

パッケージTray
Package / Case78-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ78-FBGA (9x11.5)

環境条件

動作温度0°C~95°C(TC)