MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

Micron Technology Inc

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

メモリ・ストレージ

IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE

旧品種Dieメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (TLC)
ベース品番MT29F512G08
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量512Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization64G x 8

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseDie
サプライヤーデバイスパッケージDie

環境条件

動作温度0°C~70°C