MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR

Micron Technology Inc

MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE

旧品種Dieメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F4G08
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
サプライヤーデバイスパッケージDie

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)