MT29F4G08ABAEAH4:E TR

Micron Technology Inc

MT29F4G08ABAEAH4:E TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA

生産終了63-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F4G08
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-VFBGA (9x11)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)