MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

Micron Technology Inc

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 3TBIT PARALLEL 267MHZ

量産中メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F3T08
メーカーMicron Technology Inc.
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量3Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数267 MHz
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)