MT29F2G16ABBEAM69A3WC1

Micron Technology Inc

MT29F2G16ABBEAM69A3WC1

メモリ・ストレージ

IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE

旧品種Dieメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F2G16
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 16

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseDie
サプライヤーデバイスパッケージDie

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)