MT29F2G08ABAEAH4:E

Micron Technology Inc

MT29F2G08ABAEAH4:E

メモリ・ストレージ

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

量産中63-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F2G08
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 8

機械特性

パッケージBulk
Package / Case63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-VFBGA (9x11)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)