MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR

Micron Technology Inc

MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA

量産中272-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F1T208
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量1.125Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization144G x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case272-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ272-VBGA (14x18)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)