MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

Micron Technology Inc

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA

量産中メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29F1G08
メーカーMicron Technology Inc.
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量1Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)