MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Micron Technology Inc

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

メモリ・ストレージ

IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ

旧品種メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29E6T08
メーカーMicron Technology Inc.
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量6Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization768G x 8

機械特性

パッケージTray

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)