MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Micron Technology Inc

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ

生産終了メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29E4T08
メーカーMicron Technology Inc.
Product StatusNot For New Designs

電気特性

メモリ容量4Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization512G x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)