MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Micron Technology Inc

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

メモリ・ストレージ

IC FLASH 3TBIT PAR 272LFBGA

量産中272-LFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29E3T08
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量3Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数333 MHz
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case272-LFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ272-LFBGA (14x18)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)