MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

メモリ・ストレージ

IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

旧品種132-VBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
ベース品番MT29E1T208
メーカーMicron Technology Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量1.125Tbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.5V ~ 3.6V
Memory Organization144G x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case132-VBGA
サプライヤーデバイスパッケージ132-VBGA (12x18)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)