LND150N3-G

Microchip Technology

LND150N3-G

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

量産中TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1000Ohm @ 500µA, 0V
ベース品番LND150
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10 pF @ 25 V
メーカーMicrochip Technology
実装タイプThrough Hole
梱包Bag
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30mA (Tj)
最大消費電力740mW (Ta)

機械特性

Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージTO-92-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)