一般
| ベース品番 | 2N930 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
機械特性
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-18 |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/253 |