一般
| ベース品番 | 2N6989 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 1.5W |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-116 |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/559 |