一般
| ベース品番 | 2N6383 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Power - Max | 6 W |
機械特性
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-204AA (TO-3) |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/523 |